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- [发明专利]基于SOT-MTJ的非易失布尔逻辑运算电路及方法-CN202111214354.2在审
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李锡铭;虞志益;金星;尹宁远
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中山大学
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2021-10-19
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2022-02-11
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H03K19/20
- 本发明公开了一种基于SOT‑MTJ的非易失布尔逻辑运算电路，包括MTJ写电路模块、MTJ逻辑树模块和预充电放大器模块，所述MTJ写电路模块用于给各个所述SOT‑MTJ写入一个MTJ状态，所述MTJ状态包括平行态和反平行态；所述MTJ逻辑树模块用于根据所述MTJ状态控制各所述SOT‑MTJ连接成的电路的电阻值的大小；所述预充电放大器模块用于根据所述电阻值的大小，输出所述MTJ状态对应的布尔逻辑结果。本发明通过给MTJ逻辑树模块中的SOT‑MTJ写入MTJ状态，控制SOT‑MTJ的电阻值，根据SOT‑MTJ连接成的电路的电阻值的大小输出布尔逻辑结果，且SOT‑MTJ的电阻值不会因为掉电而丢失，实现了非易失的布尔逻辑；由于SOT‑MTJ的小尺寸设计，且兼容CMOS工艺，实现了小尺寸器件的存内计算架构。
- 基于sotmtj非易失布尔逻辑运算电路方法
- [发明专利]一种MTJ器件的制备方法-CN202010403414.4有效
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杨晓蕾;何世坤;罗飞龙
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浙江驰拓科技有限公司
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2020-05-13
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2022-06-28
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H01L43/12
- 本发明公开了MTJ器件的制备方法，包括：预先根据MTJ器件对数据保持时长要求，确定MTJ器件的预期Hoffset值；按照MTJ器件工艺流程，完成MTJ器件的制备后，在预设温度环境中进行热处理；当MTJ器件热处理时长达到预期Hoffset值对应的预设热处理时长时，则对MTJ器件进行退火处理；其中，预设热处理时长为预期Hoffset值对应的MTJ器件的热处理时长。本申请中对MTJ器件的偏置场磁参数Hoffset值进行调节时，只需要对MTJ器件各个结构层形成后，进行热处理的时长进行合理控制，保证了MTJ器件在存储器等设备中的应用性能更为可靠。
- 一种mtj器件制备方法
- [发明专利]类脑计算系统及其突触-CN201610310747.6有效
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戴瑾
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上海磁宇信息科技有限公司
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2016-05-11
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2021-05-25
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G06N3/063
- 一种类脑计算系统及其突触，所述突触为MTJ突触，其包括记忆MTJ和参考MTJ；MTJ突触的输出端连接到类脑计算系统中输入电荷的神经元，MTJ突触的输入端连接到类脑计算系统中输出电荷的神经元；MTJ突触的输出端被置于基准电位，记忆MTJ适于接收来自所述MTJ突触的输入端的第一脉冲，参考MTJ适于接收来自MTJ突触的输入端的第二脉冲，第一脉冲与第二脉冲同时发射，形状相同且符号相反；MTJ突触还包括与记忆MTJ相连的第一选通器件以及与参考MTJ相连的第二选通器件，分别设置于输出电荷的神经元与输入电荷的神经元之间的不同电流路径上，且两者导流方向相反。
- 计算系统及其突触
- [发明专利]半导体设备-CN201680034994.6有效
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宇佐美公良;工藤优
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索尼公司
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2016-06-09
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2021-08-13
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G11C11/15
- 写入控制电路34存储与存储在MTJ元件MTJ1、MTJ2中的数据相同的数据。当将由从锁存器32保持的数据存储在MTJ元件MTJ1、MTJ2中时，写入控制电路34进行控制以通过将存储在其中的数据与由从锁存器32保持的数据进行比较来确定是否将由从锁存器32保持的数据写入到MTJ元件MTJ1、MTJ2。当存储在其中的数据与由从锁存器32保持的数据相匹配时，写入控制电路34进行控制以确定不将数据写入到MTJ元件MTJ1、MTJ2中。
- 半导体设备
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